Atomic Layer Deposition (ALD)

Our new Plasma-enhanced Atomic Layer Deposition (ALD) from Picosun (Finland). This setup realized together with A. Waag and A. Bakin from IHT, TU-BS will be used to prepare novel metamaterials and devices.

Aus dem Antragstext: „Die hier beantragte Plasma-Enhanced Atomic-Layer-Deposition (PE-ALD) Anlage wird eine wichtige Grundlage für die zukünftigen Forschungsarbeiten des Instituts für Physik der Kondensierten Materie (IPKM) und des Instituts für Halbleitertechnik (IHT) der Technischen Universität Braunschweig darstellen. Es sollen 3- dimensionale Oxid/Metall- und Halbleiter-Nanosysteme prozessiert werden. Die beantragte PE-ALD wird benutzt werden bei der Herstellung komplexer und funktionalisierter Aggregate von Nanokontakten, wie sie innerhalb der NTH School for Contacs in Nanosystems untersucht werden. Es ist weiterhin geplant, alternative Materialien für Solarzellen auf der Basis von oxidischen und sulfidischen Verbindungen mit Zink und Kupfer zu evaluieren. Im Bereich unserer Aktivitäten an GaN NanoLEDs sollen Strukturen mit Funktionsschichten versehen werden. Im Bereich Halbleiter-Nanoporen- und Nanodraht-Sensorstrukturen soll die Grundlage für eine effiziente Passivierung und nachfolgende Biofunktionalisierung geschaffen werden. Der Einsatz einer ALD mit Plasmaunterstützung ermöglicht eine wesentlich breitere Auswahl von Präkursoren und Reaktionstemperaturen als eine konventionelle ALD. Außerdem können die Probenoberflächen in-situ durch Plasmabehandlung speziell präpariert werden.“

 

Weiterführende Literatur:

 

 


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p.lemmens at tu-bs.de, letzte Änderung: 24.04.2013